A Região I predomina o comportamento extrínseco do semicondutor, devido ao elevado potencial dos portadores de carga do dopante, quando comparado com o potencial da banda de condução.
B Região I predomina o efeito de saturação da condução, pois todos os portadores de carga introduzidos pelos dopantes estão na banda de condução, causando máxima capacidade de condução.
C Região II predomina o comportamento isolante do semicondutor, pois o número de buracos se iguala ao número de elétrons, eliminando os portadores de cargas e aumentando a resistência superficial de fuga.
D Região III predomina o comportamento extrínseco do semicondutor, pois os portadores de cargas dos dopantes atingem a banda de condução em temperaturas inferiores às requeridas pelos elétrons da banda de valência.
E Região III predomina o comportamento intrínseco do semicondutor, pois todos os portadores de carga estão na banda de valência, aumentando lentamente a condutividade com a diminuição da temperatura.