Em projetos de circuitos com Transistores de Efeito de
Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs) de canal n
tipo enriquecimento, a polarização do MOSFET é uma etapa
essencial. Para obter a saturação como modo de operação,
é comum garantir a formação do canal n e fazer a
interconexão de dois de seus terminais. Essa configuração
é amplamente utilizada para projeto de espelhos de
corrente. Nessa configuração, os terminais curtoscircuitados são
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