Devido a uma falha no processo de fabricação de uma junção PN
de silício, o lado P ficou sem dopagem.
Considerando a temperatura de 300 K, número intrínseco do silício de, aproximadamente, 10 e/cm3 e o número de doadores do lado N igual a 3 x 1016/cm3 , a voltagem na barreira de potencial dessa junção é de aproximadamente
(Obs: constante de Boltzman (k) = 1,38 x 10-23 J/K; carga do elétron (q) = 1,6 x 10-19 C; ln(3)≈1,1 e ln(10)≈2,3)
Considerando a temperatura de 300 K, número intrínseco do silício de, aproximadamente, 10 e/cm3 e o número de doadores do lado N igual a 3 x 1016/cm3 , a voltagem na barreira de potencial dessa junção é de aproximadamente
(Obs: constante de Boltzman (k) = 1,38 x 10-23 J/K; carga do elétron (q) = 1,6 x 10-19 C; ln(3)≈1,1 e ln(10)≈2,3)
