O modelo de Ebers-Moll pode ser utilizado para modelar o comportamento de transistores bipolares. Supondo os seguintes parâmetros: IB, IC, IE são as correntes de base, coletor e emissor, respectivamente; ICD e IED são as correntes dos diodos de coletor e emissor, respectivamente; αF, αR são os ganhos de corrente em base comum direto e reverso respectivamente, o modelo de Ebers-Moll para um transistor NPN é:
