Sobre os dispositivos semicondutores utilizados para o processamento de energia elétrica em circuitos eletrônicos,
identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas:
( ) Os diodos Schottky apresentam um elevado tempo de recuperação da capacidade de bloqueio, motivo pelo qual são
usados em aplicações envolvendo altas frequências.
( ) Uma vez polarizado corretamente e aplicada uma corrente de gatilho apropriada, o tiristor comporta-se como um
diodo em condução, não havendo mais controle externo sobre o seu instante de bloqueio.
( ) Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda região “p” ou “n” a um diodo de junção “pn”, formando
assim duas junções, a junção Coletor-Base e a junção Base-Emissor.
( ) Os transistores MOSFET são dispositivos controlados por tensão, implicando a necessidade de um circuito de baixa
corrente para o seu acionamento. Além disso, apresentam melhores características para operação em altas
frequências quando comparados com os transistores bipolares.
( ) O MOSFET apresenta alta impedância de entrada, com a vantagem de proporcionar menores perdas em condução.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo.
