A um semicondutor do tipo “p” pode ser produzido através da dopagem do silício com impureza trivalente.
B um semicondutor pode possuir fluxos de elétron e de lacunas, assim como nos materiais condutores.
C o semicondutor intrínseco é do tipo “p” e o extrínseco é do tipo “n”.
D um semicondutor do tipo “n” pode ser produzido através da dopagem do silício com impureza trivalente.
E em um semicondutor do tipo “n” as lacunas são os portadores majoritários.