Um substrato de silício do tipo p, com 5.1015 átomos de boro por cm3 , foi a matéria prima para fabricar microcircuitos eletrônicos. Para produzir as uniões n-p, se difundiram átomos de fósforo no substrato. Na temperatura de pré-deposição de 1.000°C, a solubilidade do P no Si é 1.10 21 átomos de P/cm3 . O coeficiente de difusão do P no Si na temperatura de 1.000°C é 1,2. 10-14cm2 /s. Calcule a profundidade das uniões depois da pré-deposição em tempo de 3.600s.
A profundidade das uniões é igual a
