A à criação de lacunas no coletor, permitindo um fluxo de elétrons quase idêntico nas junções NP e PN.
B à superação da barreira de potencial da junção emissor-base e ao campo elétrico formado pela camada de depleção na junção base-coletor, permitindo a geração de um fluxo contínuo de elétrons .
C ao fato de o coletor ser a região do TBJ com menor índice de dopagem, favorecendo a passagem da maior parte dos elétrons que vem do emissor.
D ao fato de a base ser uma região fortemente dopada, o que aumenta a injeção de elétrons na região do coletor.
E ao baixo índice de dopagem do emissor, permitindo um fluxo de elétrons contínuo na direção do coletor.