A Em um transistor do tipo enriquecimento,NMOS,deve ser aplicada uma diferença de potencial negativa entre porta e fonte para que seja induzido um canalN.
B No transistorMOS,o substrato deve ser fortemente dopado, e a fonte e o dreno devem ser levemente dopados.
C O transistorMOS,quando é usado como amplificador linear, deve ser operado na região de triodo.
D No transistorNMOSdo tipo enriquecimento, o corpo é composto por material tipoP.
E Por usar um canal induzido, o transistorNMOStem impedância de entrada muito menor que a do transistor bipolar.