Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn)
puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho
a 20 °C é igual a 10−6 Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse
dispositivo é igual a 0,0005 m2
/(V∙s) e o coeficiente de
temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C−1.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.
A velocidade de arraste no dispositivo, considerando-se a
aplicação de um campo elétrico de 30 V/m, é igual a
15 mm/s.
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