Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10−6 Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m2 /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C−1.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.
A condutividade elétrica do material de construção do
dispositivo em questão é maior que 2×105 (Ω∙m)−1.
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