No contexto da comutação de semicondutores em conversores de eletrônica de potência,
os transistores de potência, como o IGBT e o MOSFET, estão sujeitos a perdas de
comutação durante os processos de chaveamento.
Considerando-se o comportamento desses dispositivos, qual opção descreve corretamente
os efeitos das perdas de comutação?
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